вход Вход Регистрация



Рис.1.3. Схема резонансного усилителя

1. Выбор транзистора проводим по выполнению соотношения

,

где f0 – резонансная частота.

 

2. По ВАХ транзистора определяем параметры режима () и рассчитываем R1; R2 Rэ1; С1.

;

3. Для определения элементов резонансного контура предварительно принимаем коэффициенты включения контура к транзистору () и коэффициенты включения контура к нагрузке () равными 1 () т.е. полное включение

Рис.1.4. Схема полного включения контура

4. Определим Скон и Lкон

Скон >> Cвых + Cн [пф]

Cвых = Ск (1+β),

где Ск – ёмкость коллекторного перехода выбранного VT. Выбираем Сном по номинальному порядку из справочника.

5. Учитывая, что в диапазоне частот 0,1-1 мГц добротность Q = 20-100 и что потери в индуктивности контура значительно больше емкости определяем сопротивление потерь в контуре (Rпот) и резонансное сопротивление контура:

6. Определяем эквивалентное сопротивление контура:

где

7. Рассчитываем добротность всего усилителя т.е. Qэкв

8. Находим усиление на резонансной частоте:

9. Ёмкость разделительного конденсатора С1 определяется из соотношения:

10. Если Rэкв получается малым (т.е. в Омах, а не кОмах) – это из-за шунтирующего действия нагрузки (Rн) тогда коэффициенты mн = mк надо брать менее 1 (например: mн = mк = 0,5).

11. Проводим перерасчет Rэкв Qэкв КU0 с новыми значениями mн = mк, чтоб удовлетворить требованиям задания.

© 2018
  • Сайт "Литературка"
  • мы собираем различную техническую, образовательную, научную литратуру