вход Вход Регистрация



на биполярных транзисторах

Расчет состоит из расчета энергетического режима и расчета контура. В качестве избирательных контуров используются: индуктивная трёх точка; ёмкостная трех точка и трансформаторная обратная связь.

А. Энергетический расчет

1. Транзистор выбирается из условия, что мощность, которую транзистор должен отдать в контур, составляет:

при этом

2. Коэффициент использования коллекторного напряжения выбирают из соотношения:

,

где крутизна линии критического режима по ВАХ транзистора; коэффициенты разложения импульса коллекторного тока для

3. Амплитуда переменного напряжения на контуре

4. Амплитуда первой гармоники коллекторного тока

Рис.3.1 Схема генератора индуктивная трёхточка.

Рис.3.2. Ёмкостная трехточка.

Рис.3.3. Трансформаторная связь.

5. Постоянная составляющая коллекторного тока

6. Максимальное значение импульса тока коллектора:

7. Мощность, расходуемая источником питания в цепи коллектора

;

8. Мощность, рассеиваемая на коллекторе

9. Эквивалентное сопротивление контура в цепи коллектора

10. Коэффициент усиления по току в схеме с общей базой на частоте

,

где коэффициент усиления по току на низкой частоте.

11. Амплитуда первой гармоники тока эмиттера

где αiэ – коэффициент разложения импульса эмиттерного тока для угла отсечки θэ тока эмиттера

12. Амплитудное значение напряжения возбуждения на базе транзистора, необходимое для обеспечения импульса тока эмиттера Iэ max

где при – крутизна характеристики тока коллектора.

13. Напряжение смещения на базе обеспечивающее угол отсечки тока эмиттера

напряжение среза, которое определяется по спрямленным характеристикам при , знак при определяется типом транзистора («+»-для п-р-п, «–»-для р-п-р) (смотрим рис.3,4).

Рис.3.4. Графики для определения параметров

14. Проверка условий баланса амплитуд

15. Сопротивление R5 цепочки автосмещения определяется из соотношения

16. Индуктивность дросселя Lдр в цепи базы транзистора

,

где – ёмкость эмиттерного перехода VT.

17. Ёмкости разделительного (Ср) и блокировочного (Сф) конденсаторов соответственно:

Б. Расчет параметров контура

1.Емкость конденсатора (Скон) и индуктивность (Lкон) контура:

2.Волновое сопротивление () и сопротивление потерь () контура:

,

где – добротность контура.

3.Величина индуктивности катушки связи () и ёмкости () связи с коллектором и индуктивности ёмкости связи с базой и транзистором определяется по следующему соотношению:

4.Расчет связи контура с нагрузкой выполняют из условия согласования контура, транзистора и нагрузки

,

где –эквивалентное сопротивление контура по отношению к узлам подключения транзистора. Тогда, эквивалентное сопротивление нагрузки:

5.Индуктивность обмотки связи с нагрузкой определим из условия трансформаторной связи

,

где – заданное сопротивление нагрузки.

© 2018
  • Сайт "Литературка"
  • мы собираем различную техническую, образовательную, научную литратуру