вход Вход Регистрация



Как было сказано выше, что режим работы электронных компонент задается смещением. Смещение подают между общим (вывод 2) и управляющим электродом (вывод 1), рис. 1.1.

Способы подачи смещения зависят от электронных компонентов схемы (электронная лампа или транзистор). Рассмотрим их.

 

1.3.1 Схемы на электронных лампах

Самым распространенным является способ автоматического катодного смещения (рис.1.2, а).

Рисунок 1.2 – Способы подачи смещения на электронные лампы: а – автоматического катодного смещения; б – от делителя; в – автоматического сеточного смещения

Так как сопротивление Rg «велико» (чтоб не шунтировать вход) и является сопротивлением утечки тока сетки и ток утечки незначительный, то напряжение смещения(Uoc = URк) попадает на управляющую сетку полностью:

 

 

Сопротивление резистора Rк рассчитывают по следующей формуле:

 

,

 

где Iк ср. = Iа ср. – среднее значение тока катодной цепи равное среднему значению тока анодной цепи (для каскадов мощного усиления);

I = I0а – ток покоя катодной цепи, равный току покоя анодной цепи (для каскадов предварительного усиления).

Так как iк = f(Uвх сигнала), то и ΔURк = f (Uвх. сигнала), то резистор Rк является элементом обратной связи, то для устранения обратной связи включают блокировочную емкость Ск, «закорачивающий», Rк переменной составляющей катодного тока. Другим способом подачи смещения особенно для многосеточных ламп является единственный способ подачи делителем RдRк (рис. 1.2, б). Резисторы Rк и Rд рассчитывают по формулам

 

; ,

 

где Е – напряжение источника анодного питания.

В генераторах, модуляторных каскадах и каскадах с избирательной нагрузкой применяют способ автоматического сеточного смещения (рис. 1.2, в). Здесь при отсутствии входного сигнала Uсмещ. = 0. При подаче сигнала, при его положительном полу периоде сетка оказывается под более высоким потенциалом, возникает сеточный ток, который заряжает конденсатор С. При отрицательном полу периоде сигнала конденсатор разряжается на Rу, создает падение напряжения ΔU, что и является напряжением смещения.

 

 

Случайные новости

1.2 Базовые элементы цифровых устройств

Для реализации логических операций применяют соответствующие логические элементы. Система элементов, позволяющая строить на их базе логические функции любой сложности, называется функционально полной системой или базисом. Базис образуют логические элементы ИЛИ, И, НЕ. Кроме того, на практике широко применяются логические элементы, реализующие простейшие функции двух переменных ИЛИ-НЕ, И-НЕ и некоторые другие. Эти функции также называют операторами, а запись более сложных функций в виде суперпозиции операторов логических элементов называется ее операторной формой.

Простейшими базовыми элементами импульсных и цифровых устройств являются диодные и транзисторные ключи. Если ключ считать идеальным, то параметры замкнутого ключа следующие: R=0; I=?; Uкл=0, а разомкнутого R=?, I = 0, Uкл=?.

Параметры реального ключа: Uкл = E, I = E/R, R = Ri.

 

;

 

Рисунок 1.1 – ВАХ идеального (а), реального (б), диодного (в) ключей

 

Учитывая, что U пороговое (отпирания) для кремниевых диодов составляет (0,4-0,6)В, германиевых (0,2-0,3)В, а падение напряжения ?Uпрямое = (0,6-0,8)В и (0,2-0,4)В (соответственно), поэтому для увеличения помехоустойчивости диодного ключа необходимо подавать смещение.

 

 

 

 

 

 

Рисунок 1.2 – Диодный ключ

 

Для реализации логических функций многих переменных применяют несколько параллельно включенных диодных ключей.

Транзисторные ключи могут быть реализованы по схеме ОБ, ОК, ОЭ и ключ-звезда. Наибольше применение схема ОЭ.

 

 

 

 

 

 

 

 

Рисунок 1.3 – Схема транзисторного ключа

 

Транзистор может находиться в режиме отсечки (; транзистор «превращается» в генератор тока причем ) и насыщения ( и транзистор «превращается» в эквипотенциальную точку, т.е. единым потенциалом всех электродов).

Под воздействием управляющего сигнала (Uвх) транзистор переключается не мгновенно, а временем определяемым параметрами переходного процесса, возникающие за счет элементов схемы (паразитных емкостей, емкостей переходов) и степени (коэффициента) насыщения транзистора:

tзад – перезарядом Свх от напряжения UБзап до Uпор;

t01 – процессом изменения концентрации носителей в базе и перезарядом барьерной емкости коллекторного перехода;

tрасс – временем рассасывания избыточных носителей в базе (пока ток базы не уменьшится до уровня границы Iб насыщения);

t10 – связан со скоростью уменьшения заряд в базе (инерционностью транзистора).

 

Примечания:

1. Широкое применение находят транзисторные ключи на МОП-структурах, которые мы рассмотрим в разделе 1.6.

2. Для сокращения параметров переходных процессов и увеличения быстродействия транзисторных ключей на биполярных транзисторах применяют форсирующие конденсаторы (резистор шунтируется параллельно включенным конденсатором Cф, рисунок 1.3) и ненасыщенные ключи. С этой целью применяют способ фиксации коллекторного напряжения на уровне Е фиксации, нелинейную (диодную) обратную связь коллектор–база.

 

© 2019
  • Сайт "Литературка"
  • мы собираем различную техническую, образовательную, научную литратуру