вход Вход Регистрация



 

 

Рисунок 1.3 – Способы подачи смещения для транзисторных каскадов: а – фиксированным током базы; б – фиксированным напряжением смещением базы – эмиттер

 

Обычно для биполярных транзисторов задают токи в цепях базы или эмиттера, для полевых – напряжение затвор – исток.

Ток смещения I,текущий через резистор Rд1 определяется его величиной и напряжением источника Е, и, не изменяется от дестабилизирующих факторов (температуры, старении, замены транзистора и прочее).

Сопротивление резистора RД1 во много раз больше сопротивления участка базы – эмиттер постоянному току и рассчитывается по формуле:

 

,

 

где U0б. – напряжение смещения база – эмиттер;

I , I – токи покоя коллектора и эмиттера;

Iк0 – остаточный (неуправляемый ) ток коллектора.

Если способ подачи смещения фиксированным током пригоден лишь для каскадов, работающих в режиме А, то подача смещения фиксированным напряжением пригоден как для режима А так и В, но менее экономичен.

При этом сопротивление делителя Rд1Rд2 желательно иметь меньше сопротивления постоянному току участка база – общий провод. Величину сопротивления делителя можно определить по следующим формулам:

 

, ,

 

где – ток покоя цепи базы каскада;

Iд – ток через резистор Rд2 (ток делителя), который обычно составляет 0,5 0,3 амплитуды тока базы Iб макс. (при максимальном сигнале).

Т.к. при смещении фиксированным напряжением база–эмиттер транзистора и изменение температуры много меньше изменяют ток покоя выходной цепи чем смещение фиксированным током базы, то смещение фиксированным напряжением эмиттер–база, несмотря на расход мощности питания в делителе является наиболее предпочтительным.

В схемах на полевых транзисторах напряжение смещения обеспечивается или за счет падения напряжения на транзисторе, включенном в цепь истока Rи, или за счет подачи на затвор дополнительного напряжения аналогичным делителем Rд1Rд2. При этом знак напряжения смещения зависит от типа полевого транзистора (с управляющим p-n-переходом, встроенным каналом и типа канала).

У полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом и с встроенным каналом р-типа положительное смещение, а n-каналом отрицательное. Так как ток затвора полевых транзисторов достаточно мал и мало падение напряжения на резистор затвора Rз (берут от одного до десяти МОм), то смещение преимущественно падают включением в цепь истока сопротивления Rи.

При этом можно считать, что напряжение затвор–исток практически равно падению напряжения на этом резисторе, т.е. UзиоIсо·Rи. Т.к. с изменением температуры изменяются токи p-n-перехода, контактная разность потенциалов затвор–канал (обычно у транзисторов с управляющим переходом), подвижность носителей в канале, то для стабилизации режима напряжение смещения желательно подавать за счет дополнительного напряжения (т.е. делителем Rд1Rд2).

 

© 2018
  • Сайт "Литературка"
  • мы собираем различную техническую, образовательную, научную литратуру