вход Вход Регистрация



В основу схем термокомпенсации положен принцип изменения сопротивления нелинейных элементов (терморезисторов, p-n-переходов, транзисторов и т.д.) от изменения температуры. Простейшей схемой является замена элемента R2 делителя R1R2 на терморезистор с отрицательным ТКС, рис. 1.5. Недостатком этой схемы является, изменение входного сопротивления каскада по сравнению с фиксированным смещением, поэтому применяют схему рис. 1.5, б.

 

 

Рисунок 1.5 – Схемы термокомпенсации транзисторных каскадов

 

Работа таких схем довольно проста – при повышении температуры уменьшается сопротивление терморезистора RТ, в результате чего база становиться более положительной относительно более отрицательного коллектора, следовательно, транзистор призакрывается.

При применении терморезистора нет полной компенсации изменению токов транзистора, так как закон изменения сопротивления RТ от температуры (RТ = f(TC) ) и закон изменения токов транзистора не одинаков, поэтому вместо RТ применяют p-n-переходы (плоскостные диоды) или схемы стабилизаторов базового или эмиттерного тока. Замену элементов делителей производят последовательно-параллельными цепочками величины сопротивления которых (с учетом r прямого и r обратного диода) подбирается равным сопротивлению резистора Rд2 при 20 °С.


Случайные новости

1.6.2 Малосигнальные элементы ЭСЛ

Быстродействие и энергия переключения логических элементов улучшаются с уменьшением логического перепада и напряжений питания. Этого можно достичь, если исключить из схем семейства ЭСЛ эмиттерные повторители. Такое упрощение схемы (рисунок 1.17, б) сопряжено с серьезными воздействиями на режим работы транзисторов и может показаться недопустимым, так как препятствует согласованию потенциалов, необходимому для ненасыщенного режима открытых транзисторов. Действительно, в схемах малосигнальных ЭСЛ (МЭСЛ) транзисторы входят в режим насыщения, но при малых логических перепадах степень насыщения мала и не оказывает существенного влияния на переходные процессы. В то же время положительное влияние уменьшения логического перепада на быстродействие элементов сказывается в полной мере. Из-за малого логического перепада элементы МЭСЛ имеют низкую помехоустойчивость, а из-за отсутствия эмиттерных повторителей – пониженные коэффициенты разветвления. Все это затрудняет использование МЭСЛ, но внутри БИС создаются условия, когда применение МЭСЛ возможно и целесообразно.

В связи с высокими быстродействиям элементов семейства ЭСЛ приобретают особо важное значение проблемы передачи сигналов и конструирования устройств, в которых используются эти элементы.

Одно из достоинств элементов семейства ЭСЛ - постоянство тока, потребляемого ими от источника питания, поскольку токи в схемах не создаются или прерываются, а лишь коммутируются из одной ветви в другую. Напомним, что элементы ТТЛ не обладают подобным качеством и наличие сквозных токов при переключении - одна из проблем, с которой приходится считаться при их применении.

Элементы ЭСЛ находят применение в схемах быстродействующих ЭВМ, в приборостроении, в схемах быстродействующих аналого-цифровых преобразователей и т.д. Они изготовляются в виде МИС, СИС и БИС, в частности составляют элементную базу современных ЭВМ.

Помехоустойчивость элементов ЭСЛ и Э2СЛ характеризуется допустимыми помехами порядка 130...160мВ, МЭСЛ – 40...50мВ, перепад напряжений в элементах ЭСЛ составляет около 0,8В, в элементах Э2СЛ – около 0,6В, в элементах МЭСЛ – около 0,4В, напряжение питания для ЭСЛ и Э2СЛ – 5,2 В, для МЭСЛ -2...-3В. Недостаток элементов семейства ЭСЛ – повышенное потребление мощности.

 

© 2019
  • Сайт "Литературка"
  • мы собираем различную техническую, образовательную, научную литратуру