вход Вход Регистрация



Конечно, одним из исторически первых ЛЭ принадлежат резисторно-транзисторные ЛЭ (РТЛ) и диодно-транзисторные (ДТЛ), которые получаются путем замены резисторов в РТЛ на диоды. РТЛ и ДТЛ изготавливались и на дискретных схемных элементах, и в виде ИМС (в настоящее время их в виде ИМС не изготавливают).

Базовыми ЛЭ являются ЛЭ ИЛИ-НЕ (рисунок 1.4, а) и И-НЕ (рисунок 1.4, б).

 


 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Рисунок 1.4 – ДТЛ ИЛИ-НЕ (а) и И-НЕ (б)

 

Здесь последовательное соединение элементов ИЛИ на диодах VD1…VDm и элемента НЕ транзисторном ключе ОЭ (инверторе). Когда на входах Х1... Хм отсутствует сигнал (уровень логического нуля) транзистор VT закрыт () и F=1. При поступлении высокого уровня (уровня логической единицы). Хотя бы на один из входов транзистор откроется () и F = 0. Связь между ЛЭ И и инвертором осуществляется с помощью кремниевых диодов VDcm 1, 2 (источник постоянного смещения UVD). При подаче логической единицы на все входы диоды VD1…VDm закрыты. В цепи протекает ток . Поэтому VT открыт и насыщен , F=0. При подаче хотя бы на один из входов логического 0 образуется цепь и эмиттерный переход VT и цепь VDсм 1,2 шунтируются цепь проводящей VDx (, VT - закрыт, , F=1).

Для повышения стабильности, помехозащищенности применяют высокопороговые ДТЛ на трех транзисторах с эмиттерным повторителем (сложным инвертором).

 

© 2018
  • Сайт "Литературка"
  • мы собираем различную техническую, образовательную, научную литратуру