вход Вход Регистрация



Рисунок 1.13 – Схема базисного элемента ТТЛШ

 

В элементах ТТЛШ, в отличие от элементов ТТЛ, вместо обычных транзисторов используются транзисторы Шотки, в которых параллельно коллекторному переходу включен диод Шотки. Шунтирование коллекторного перехода диодом Шотки приводит к исключению режима насыщения открытого транзистора и тем самым к ускорению его запирания. Применение транзисторов Шотки позволяет повысить быстродействие элементов и одновременно улучшить их работу переключения. Схема элемента ТТЛШ показана на рисунке 1.13. Многоэмиттерный транзистор также является транзистором Шотки, но это объясняется иными соображениями - шунтирование коллекторного перехода транзистора диодом Шотки делает весьма малым эффективное значение инверсного коэффициента передачи тока , что благоприятно влияет на функционирование элементов ТТЛ. Особенность транзисторов Шотки, связанная с отсутствием у них режима насыщения, - повышенное значение напряжения на открытом транзисторе (около 0,3В).

Наряду с описанными выше схемами в системах ТТЛ встречаются и улучшенные в том или ином отношении модификации.

В элементах ТТЛШ насыщение транзисторов устранено, их быстродействие высокое, и по этому показателю элементы ТТЛШ занимают среди элементов, реализованных на основе кремния, второе место (после элементов типа ЭСЛ). Для всех элементов ТТЛ напряжения питания равны 5В, а уровни сигналов логического нуля и единицы . Для элементов ТТЛШ . Типовые коэффициенты разветвления и объединения равны 10 и 8 соответственно.

 

© 2018
  • Сайт "Литературка"
  • мы собираем различную техническую, образовательную, научную литратуру