вход Вход Регистрация



Запоминающее устройство – комплекс технических средств, реализующих функцию памяти. Запоминающий элемент (ЗЭ) – часть памяти, используемая для хранения наименьшей единицы (бит) данных. Основные параметры ЗУ – информационная емкость, разрядность, быстродействие, мощность потребления и др.

Информационная емкость определяется наибольшим количеством информации, которая может быть зафиксирована ЗУ. Емкость ЗУ измеряется количеством N хранимым n-разрядных слов. При этом единицей для двоичной информации является бит или байт (один байт равен восьми битам). Тогда N = 1Кбит = 210 бит = 1024бит; 1Кбайт = 210 байт = 1024 байт; Мбит = 220 (10242) бит; 1Мбайт =220 байт = (1024)2 байт.

Разрядность n-количество разрядов в запоминаемом слове. Разрядность слов в ЗУ кратна байту.

Быстродействие памяти определяется продолжительностью операции обращения, т.е. длительностью процессов, необходимых для записи или считывания информации. Продолжительность обращения к памяти при считывании. tобр.сч – время от момента подачи кода адреса на регистр адреса ЗУ до момента поступления считанного слова на регистр числа ЗУ. Продолжительность обращения к памяти при записи tобр.сч – время от момента подачи кода адреса на регистр адреса ЗУ до окончания процесса записи в накопителе ЗУ.

Наиболее полной характеристикой быстродействия ЗУ является время цикла Тц – минимальное время между двумя последовательными обращениями к ЗУ Тц = tобр.сч + tобр.зап.

Память – функциональная часть ЭВМ, предназначенная для записи, хранения и выдачи данных.

В общем случае ЭВМ содержит внешние и внутренние ЗУ. Внешние ЗУ служит для хранения больших объемов информации: запасов данных и программного обеспечения системы. В таких ЗУ используются ЗУ с прямым доступом на магнитных барабанах и дисках, ЗУ с последовательным доступом на магнитных лентах.

Внутренние ЗУ по выполняемым функциям делятся на оперативные и постоянные. Оперативные ЗУ (ОЗУ) выполняют запись, хранение и считывание произвольной двоичной информации, обеспечивают хранение программ, определяющих процесс текущей обработки информации, и массивов обрабатываемых данных. Постоянные ЗУ (ПЗУ) осуществляют хранение и выдачу постоянно записанной информации, содержание которой не изменяется в ходе работы системы. Это используемые в процессе работы стандартные подпрограммы и микропрограммы, преобразователи кодов, табличные значения различных функций, константы и др. Когда необходимо периодически менять информацию в ПЗУ используются перепрограммируемые ПЗУ (ППЗУ). По принципу действия ЗЭ, используемых в ОЗУ, можно разделить ОЗУ на линиях задержки, ЭЛТ, ферритовых сердечниках, плоских и цилиндрических тонких магнитных пленках, трансфлюксорах, туннельных диодах и полупроводниковых интегральных схемах. В таблице приведены параметры ЗЭ, из которой видно разнообразие схемотехнических принципов построения ЗЭ и различие их основных характеристик.

№ п/п Запоминающие

 

элементы

Емкость

 

слов

Разрядность,

 

бит

Время обращения, мкс
1 2 3 4 5
1 Линии задержки 512 48 200
2 ЭЛТ 1024 40 12
3 Ферритовые сердечники 64 64 0,7
4 Магнитные пленки 8 9 0,5
1 2 3 4 5
5 Полупроводниковые 256 1 0,017

Преимущество полупроводниковых ЗЭ, их использование при создании ЗУ дало возможность значительно увеличить быстродействие, уменьшить массу, габариты и потребляемую мощность, повысить надежность работы ЗУ.

Основа полупроводниковых ЗЭ – триггер с цепями управления для записи и считывания хранимой информации. По физико-технологическим признакам ЗЭ подразделяются на биполярные и МОП-транзисторы. Биполярные ЗУ имеют более высокое быстродействие Тц 10…20 нс (для ЭСТЛ) и Тц = 40…100 нс (для ТТЛШ), но меньшую плотность размещения ЗЭ на кристалле (4Кбит), малую потребляемую мощность, но малое быстродействие.

© 2018
  • Сайт "Литературка"
  • мы собираем различную техническую, образовательную, научную литратуру