вход Вход Регистрация



Метод применим к СДНФ и основывается на применении двух основных соотношений:

1. склеивание

2. поглощение

Суть метода заключается в последовательном выполнении всех возможных склеиваний и затем всех поглощений, что приводит к СкДНФ.

 

Для получения МДНФ необходимо убрать из СкДНФ все лишние простые импликанты с помощью импликантной матрицы Квайна. В строках матрицы отмечаются простые импликанты, а в столбцах – конституэнты "1" булевой функции. Минимальные ДНФ строятся по импликантной матрице таким образом:

1) ищутся столбцы матрицы, имеющие только один крестик. Соответствующие этим крестикам простые импликанты называются базисными и составляют ядро булевой функции. Ядро обязательно входит в МДНФ.

2) рассматриваются различные варианты выбора совокупности простых импликант, которые накроют крестиками остальные столбцы матрицы, и выбираются варианты с минимальным суммарным числом букв в такой совокупности импликант.

 

Пример: .

1) Избавимся от отрицаний и скобок:

2) Восстановим СДНФ, применяя развертывание:

3) Найдем СкДНФ, произведя все возможные склеивания:

4) Ищем МДНФ:

Ядро:

МДНФ:

Случайные новости

1 ОСОБЕННОСТИ РАБОТЫ СИЛОВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ ПРИ ПОВЫШЕННЫХ ЧАСТОТАХ

1.1 Общие соображения

 

Автономные преобразователи, как правило, работают на частотах, лежащих в диапазоне от единиц до десятков, и даже сотен килогерц. В этом случае, в отличие от преобразователей, работающих на частоте промышленной сети, существенное значение имеют динамические параметры приборов: времена включения и выключения, время восстановления обратной электрической прочности (диодов), время восстановления управляемости (тиристоров), время рассасывания (биполярных транзисторов) и т.п. Кроме того, часто на режим работы силовых полупроводниковых приборов могут оказывать влияние паразитные параметры как самих приборов (например, входные и выходные ёмкости), так и других элементов схемы (например, индуктивности фильтровых конденсаторов или ошиновки). Характерной особенностью подобного режима работы силовых полупроводниковых приборов является рост коммутационных потерь по мере повышения рабочей частоты. Поскольку полная мощность, которая выделяется в приборе, ограничена конструкцией охладителя и условиями охлаждения, то с увеличением частоты нагрузочная способность силового прибора снижается. Таким образом, для обеспечения нормального теплового режима силовых полупроводниковых приборов необходимо сделать расчёт дополнительных потерь, связанных с повышением рабочей частоты, и, при необходимости, соответственно, снизить потери от прямого тока. К сожалению, точный расчёт коммутационных потерь в силовых полупроводниковых приборах представляет собой достаточно сложную задачу, тем более, что динамические параметры отдельных экземпляров приборов могут иметь значительный разброс. Поэтому, в большинстве случаев, целесообразно ограничиться приближённым расчётом, позволяющим сделать оценку возможности применения приборов данного типа в конкретной схеме преобразователя. Естественно, что подобные оценки должны выполняться относительно простыми методами. При необходимости, результаты оценочного расчёта могут уточняться моделированием на ПЭВМ.

© 2019
  • Сайт "Литературка"
  • мы собираем различную техническую, образовательную, научную литратуру