вход Вход Регистрация



З урахуванням підкладки транзистор в інтегральних схемах має додатковий паразитний перехід між шаром n- колектора та p- підкладкою. Це обумовлює наявність додаткової ємності, яка шунтує колекторний p-n –перехід та обмежує використання таких транзисторів в меншому частотному діапазоні. При побудові біполярних структур в інтегральних схемах необхідно обов’язково їх ізолювати. Це досягається за допомогою шару діелектрика, або за допомогою зворотнього вмикання p- n – переходу між колектором та підкладкою ( на р- підкладку подається напруга негативної полярності).

Польові транзистори з керуючим p – n – переходом добре вписуються в загальну технологію інтегральних біполярних транзисторів з керуючим p – n – переходом на одній підкладці. Такі польові транзистори не відрізняються при інтегральному та дискретному виконанні.

В одному технологічному процесі разом з біполярними транзисторами МНД- структури виготовляють дуже рідко. Інтегральні МДН- транзистори не потребують ізоляції один від одного. Інтегральні та дискретні транзистори такого типу не відрізняються. На одній підкладці можливо виготовити МДН – транзистори з n- каналом і з h –каналом. Це дозволяє просто виготовляти комплементарні ключі. На базі таких ключів випускається швидкодіюча КМДН – логіка з дуже малим споживанням енергії

Для побудови логічних схем широко використовують також інтегральні МДН- транзистори з резистивним та динамічним навантаженням .

© 2018
  • Сайт "Литературка"
  • мы собираем различную техническую, образовательную, научную литратуру