вход Вход Регистрация



На рис. 6.5 показана полумостовая схема транзисторного резонансного инвертора с обратными диодами. Эта схема удобна для реализации на IGBT, поскольку в этом случае нет необходимости включать диоды в коллекторные цепи силовых транзисторов. Кроме того, в этой схеме можно применить стандартные модули, содержащие два транзистора и два встречновключенных диода.

Особенностью схемы является то, что длительность импульсов управления должна быть не меньше длительности зарядной полуволны тока, но и не больше суммы длительностей зарядной и разрядной полуволн. Некоторая трудность заключается в том, что эти длительности зависят от параметров нагрузки и могут изменяться при изменении режима работы.

В частности, в случае выхода схемы в режим непрерывного тока, следует принять меры к ограничению скорости коммутации, так как в моменты включения силового транзистора, включен и проводит ток разрядной полуволны диод, шунтирующий другой транзистор. Для этого можно использовать реактор, включаемый в цепь коллектора одного из транзисторов, и, соответственно, RC-цепочки, шунтирующие плечи полумоста.

Высокое быстродействие транзисторов типа IGBT позволяет обеспечить частоты выходного напряжения до сотен кГц. В частности, такая схема, имеющая жесткую внешнюю характеристику, перспективна для применения в установках индукционного нагрева тонкостенных деталей или под поверхностную закалку.

В целом, применение транзисторов в инверторах тока позволяет повысить коммутационную устойчивость преобразователя, уменьшить установленную мощность конденсаторов, и применить методы формирования кривой эквивалентного тока (например, метод ШИМ), которые ранее не находили применения в тиристорных инверторах тока.

 

© 2018
  • Сайт "Литературка"
  • мы собираем различную техническую, образовательную, научную литратуру