вход Вход Регистрация



Для создания условий возникновения сил трения между ремнем и шкивами в передаче без нагрузки 1=0) ветки передачи (рис.5.7.) должны иметь предыдущее натяжение

F1=F2=F0, то есть F1 + F2 =2F0 (5.8)

Поcле нагрузки передачи 1>0) F1 увеличивается, а F2 уменьшается. Теперь имеем

F1 – F2 = Ft (5.9)

Из равенств (5.8) и (5.9)

F1 = F0 + 0,5 Ft

F2 = F0 – 0,5Ft (5.10)

Рис. 5.7. Усилие в ветках ремня

Уравнение (5.10) не раскрывают тяговой способности передачи, которая связана с силами трения между ремнем и шкивами.

Соотношение сил натяжений F1 и F2 можно извлечь, если рассмотреть скольжение гибкой нерастяжимой нити по цилиндрической поверхности.

Возьмем отрезок ремня, который находится на шкиве и ограниченный центральным углом . (рис.5.8.)

Рис. 5.8. К выводу формулы Эйлера.

На этот отрезок ремня действуют силы: dr – реакция шкива, F - значение натяжения ремня, F+ df - значение натяжения в перерезе, положение которого определяет угол , Fтр=drf - сила трения.

Условия равновесия данного отрезку ремня

SM0=O (F+Fтр)d/2-(F+df)d/2=O или df=Fтр=drf

(В=O dr-(F+df)sin(dφ/2)- Fsin(dφ/2)=0.

Отбрасывая в последнем условии составляющую второго порядка малости [dfsin(dj/2)] и учитывая, что sin(dj/2) »dj/2, получаем dr=Fdj. Таким образом, df=Ffdj.

Запишем это соотношения иначе и проинтегрируем равенство df/F=fdj (5.11)

Ведь формула Эйлера

F1=F2efa (5.12)

Решая уравнение (5.8.), (5.9.) и (5.12.), будем иметь:

F1=Ftefa/(efa-1);

F2=Ft/( efa-1); (5.13)

F0=0.5Ft(efa+1)/ (efa-1);

Эти формулы справедливые при условии, когда дуга скольжения равняется дуге обхвата. Иначе говоря, формулы (5.13) определяют предельные соотношения между усилиями в ремне.

Рис. 5.9 Действие центробежной силы

Движение ремня на шкивах обусловливает появление центробежных сил, которые дополнительно нагружают пас. Для определения это натяжения выделим элемент ремня с центральным углом dj и рассмотрим его равновесомую (рис.5.9.).

 

длина элемента dl = rdj,

масса dm=rAdl = rArdj

центробежная сила Nv=dmv2/r=rAv2dj

условие равновесия элемента Nv-2Fvsin(dj/2)=0

Если взять sin(dj/2) » dj/2, то достанем дополнительное натяжение ремню

Fv=rAv2 (5.14)


Случайные новости

1.4.1 Логические элементы ТТЛ со стробированиями с тремя состояниями выхода

Базовые ТТЛ, которые мы рассмотрели выше, имеют ряд недостатков, одним из них - значительное потребление энергии. Этот недостаток отсутствует в ЛЭ с тремя состояниями.

В ТТЛ с тремя состояниями (рисунок 1.8) в сложном инверторе диода VД нет, вместо него смещение потенциала выполняет переход база - эмиттер транзистора, включаемого на входе транзистора VТ3 и дающего к тому же дополнительное усиление тока. Это увеличивает нагрузочную способность и быстродействие элемента.

Рисунок 1.8 – Схема элемента ТТЛ с тремя состояниями выхода

 

В этой схеме (с тремя состояниями выхода), показанной упрощенно на рисунке 1.8 для управления состояниями использован один из входов МЭТ и диод VD. Если на управляющий вход подать напряжение логической единицы, то транзистор VТ6 насыщается, один из входов многоэмиттерного транзистора получит нулевой сигнал, что приведет к запиранию транзистора VТ2. Следовательно, запертым окажется и транзистор VТ5. Напряжение на коллекторе VТ2 будет повышаться, но не достигнет обычного уровня, так как включится диод VD, который ограничит напряжение на коллекторе транзистора VТ2 на уровне . Такое напряжение не может отпереть транзисторы VТ3 и VТ4. Таким образом, на транзисторы выходного каскада будут заперты, ток выходной цепи будет пренебрежимо мал, схема будет находиться в состоянии «отключено». При подаче на управляющий вход логического нуля транзистор VТ6 будет заперт. При этом сохраняется обычный режим работы элемента И-НЕ по информационным входам .

ЛЭ с тремя состояниями выхода появились с развитием информационной техники. У них в отличие от других ЛЭ имеется третье состояние, при котором транзисторы () заперты сигналом управляющего вывода. И их выходное сопротивление велико и ЛЭ (ИМС) полностью отключена от нагрузки. Это состояние называется высокоимпедансным. При использовании таких ЛЭ их выходы подключают к одной нагрузке.

Управление микросхем организуется так, что в любой момент времени все микросхемы, кроме одной, находятся в высокоимпедансном состоянии, т.е. получается как бы искусственная внутренняя коммутация. Т.о. удается по одной шине передавать в разных направлениях информацию от нескольких источников сигнала и сократить число (количество) информационных магистралей. Вход включения третьего состояния имеет метку (EZ), а выход, имеющий высокоимпедансное состояние (Z) или ( ). Управление EZ может быть как прямым, так и инверсным, (рисунок 1.9).

А в ЛЭ ТТЛ со стробированием логические функции выполняются в том случае, если на дополнительном стробирующем входе (C) имеется сигнал логической единицы (Л1). Например: Пусть ЛЭ выполнен на элементах 4ИЛИ-НЕ и на его входах: Х1 = Л «1», С=Л «1», то на выходе F= Л «0», а если

 

Рисунок 1.9 – Схема включения ЛЭ с тремя состояниями выхода

 

С=Л «0», то независимо что на Х1...Х4 на выходе F=1. Т.е. получается как бы «аналог синхросигнала».

 

© 2019
  • Сайт "Литературка"
  • мы собираем различную техническую, образовательную, научную литратуру