вход Вход Регистрация



Рис.1.3. Схема резонансного усилителя

1. Выбор транзистора проводим по выполнению соотношения

,

где f0 – резонансная частота.

 

2. По ВАХ транзистора определяем параметры режима () и рассчитываем R1; R2 Rэ1; С1.

;

3. Для определения элементов резонансного контура предварительно принимаем коэффициенты включения контура к транзистору () и коэффициенты включения контура к нагрузке () равными 1 () т.е. полное включение

Рис.1.4. Схема полного включения контура

4. Определим Скон и Lкон

Скон >> Cвых + Cн [пф]

Cвых = Ск (1+β),

где Ск – ёмкость коллекторного перехода выбранного VT. Выбираем Сном по номинальному порядку из справочника.

5. Учитывая, что в диапазоне частот 0,1-1 мГц добротность Q = 20-100 и что потери в индуктивности контура значительно больше емкости определяем сопротивление потерь в контуре (Rпот) и резонансное сопротивление контура:

6. Определяем эквивалентное сопротивление контура:

где

7. Рассчитываем добротность всего усилителя т.е. Qэкв

8. Находим усиление на резонансной частоте:

9. Ёмкость разделительного конденсатора С1 определяется из соотношения:

10. Если Rэкв получается малым (т.е. в Омах, а не кОмах) – это из-за шунтирующего действия нагрузки (Rн) тогда коэффициенты mн = mк надо брать менее 1 (например: mн = mк = 0,5).

11. Проводим перерасчет Rэкв Qэкв КU0 с новыми значениями mн = mк, чтоб удовлетворить требованиям задания.

Случайные новости

Приложение Ж

Генераторы

Вариант Тип схемы fг,

 

[кГц ]

Pвых,

 

[Вт]

Rн,

 

[Ом]

1 L 100 2 10
2 C 200 3 6
3 L 300 4 7
4 C 300 5 8
5 L 80 6 24
6 L 120 1.0 75
7 T 180 0.5 80
8 L 400 0.8 20
9 L 550 0.6 12
10 C 500 0.8 16
11 L 1200 0.2 80
12 T 1300 0.15 40
13 C 1000 0.12 24
14 L 250 0.8 12
15 L 500 0.2 20
16 T 1300 0.15 60
17 C 400 0.12 40
18 L 500 0.6 80
19 L 450 2 6
20 C 400 5 10

 

Тип схемы:

L – индуктивная; трёхточка;

C – емкостная трёхточка;

T – трансформаторная связь.

 

 

© 2019
  • Сайт "Литературка"
  • мы собираем различную техническую, образовательную, научную литратуру